Numărul de produs al producătorului:
IXTV200N10T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTV200N10T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventar:
12821489
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTV200N10T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
TrenchMV™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
550W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS220
Pachet / Carcasă
TO-220-3, Short Tab
Numărul de bază al produsului
IXTV200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF100B201
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2527
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF100B201-DG
PREȚ UNIC
1.56
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFC16N50P
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
IXTH130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO247
IXFQ60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
