IXTV200N10T
Numărul de produs al producătorului:

IXTV200N10T

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTV200N10T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220

Inventar:

12821489
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTV200N10T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
TrenchMV™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
550W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS220
Pachet / Carcasă
TO-220-3, Short Tab
Numărul de bază al produsului
IXTV200

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF100B201
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2527
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF100B201-DG
PREȚ UNIC
1.56
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXFC16N50P

MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220

littelfuse

IXTH130N10T

MOSFET N-CH 100V 130A TO247

littelfuse

IXFQ60N50P3

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

littelfuse

IXFL44N80

MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264