IXTT30N50P
Numărul de produs al producătorului:

IXTT30N50P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTT30N50P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventar:

12913369
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTT30N50P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
460W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXTT30

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI4431CDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

vishay-siliconix

SI4833ADY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

vishay-siliconix

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

vishay-siliconix

IRF9Z34STRRPBF

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK