Numărul de produs al producătorului:
IXTT2N170D2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTT2N170D2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12819302
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTT2N170D2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
568W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXTT2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
IXFR4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247
