IXTT02N450HV

Numărul de produs al producătorului:

IXTT02N450HV

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTT02N450HV-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268

Descriere detaliată:

N-Channel 4500 V 200mA (Tc) 113W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventar:

RFQ Online

12820777

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTT02N450HV Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

4500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

200mA (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

750Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

10.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

256 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

113W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-268AA

Pachet / Carcasă

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Numărul de bază al produsului

IXTT02

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IXTT02N450HV-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

3 (168 Hours)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFK30N110P

MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA

littelfuse

IXTY1N80

MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA

littelfuse

IXTY4N60P

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

infineon-technologies

AUIRFR3806

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK