IXTQ62N15P

Numărul de produs al producătorului:

IXTQ62N15P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTQ62N15P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 150V 62A TO3P

Descriere detaliată:

N-Channel 150 V 62A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

RFQ Online

12822789

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTQ62N15P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

Polar

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

150 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

62A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2250 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

350W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3P

Pachet / Carcasă

TO-3P-3, SC-65-3

Numărul de bază al produsului

IXTQ62

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

nxp-semiconductors

BSN254A,126

MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3

infineon-technologies

IRFR3303CPBF

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

infineon-technologies

IRFR220NTRRPBF

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

FMD15-06KC5

MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC