Numărul de produs al producătorului:
IXTQ42N25P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ42N25P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
11 Piese Noi Originale În Stoc
12819660
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ42N25P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
84mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ42
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDA33N25
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
619
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDA33N25-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
IXFK72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO264AA
IRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
