IXTQ30N50P
Numărul de produs al producătorului:

IXTQ30N50P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTQ30N50P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

12908503
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTQ30N50P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
460W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ30

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STW19NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
337
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW19NM50N-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
APT30F50B
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
86
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT30F50B-DG
PREȚ UNIC
4.10
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRF9Z24S

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR9024TRL

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

IRFZ20PBF

MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR220PBF

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK