Numărul de produs al producătorului:
IXTQ200N075T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ200N075T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 200A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 200A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12819774
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ200N075T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
430W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP3077PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1151
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP3077PBF-DG
PREȚ UNIC
2.76
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ200N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
14
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ200N10T-DG
PREȚ UNIC
3.56
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTX5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
IXFH26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
