Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTQ16N50P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ16N50P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
13 Piese Noi Originale În Stoc
12823608
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
V
o
t
8
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ16N50P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ16
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXTQ16N50P-DG
Fișe tehnice
IXTQ16N50P
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
2SK1317-E
PRODUCĂTOR
Renesas Electronics Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
5608
DiGi NUMĂR DE PARTE
2SK1317-E-DG
PREȚ UNIC
3.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW20NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
728
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW20NK50Z-DG
PREȚ UNIC
2.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW14NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
66
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW14NK50Z-DG
PREȚ UNIC
1.95
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR3802TRPBF
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
IXFE55N50
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
IRF6100
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
IRFR3412TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK