Numărul de produs al producătorului:
IXTP96P085T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP96P085T-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 85 V 96A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
8670 Piese Noi Originale În Stoc
12821671
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP96P085T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
TrenchP™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
85 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
298W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP96
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
IXTA200N085T7
MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7
IXFN38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
