Numărul de produs al producătorului:
IXTP64N10L2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP64N10L2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 64A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
397 Piese Noi Originale În Stoc
13271126
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP64N10L2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear L2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3620 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
357W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP64
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTP64N10L2
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA230N075T2-TRL
MOSFET N-CH 75V 230A TO263
TK099V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
IXTY08N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252