Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTP4N60P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP4N60P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
RFQ Online
12821070
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP4N60P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
PolarHV™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
635 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXTP4N60P-DG
Fișe tehnice
IXTP4N60P
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP4N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
202
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP4N80K5-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
AOT4N60
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
423
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOT4N60-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC30APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1483
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC30APBF-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
232
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N65X2-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP4NK60Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
851
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP4NK60Z-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
IXTP182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB
IXFH70N20Q3
MOSFET N-CH 200V 70A TO247AD
IXFN50N50
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B