IXTP3N60P
Numărul de produs al producătorului:

IXTP3N60P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTP3N60P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

12914042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTP3N60P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
PolarHV™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
411 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
70W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STP3LN80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
983
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP3LN80K5-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
232
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N65X2-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFR024TRPBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRFP450NPBF

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

vishay-siliconix

IRLR024TRL

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

SI5485DU-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK