Numărul de produs al producătorului:
IXTP3N120
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP3N120-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12822972
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP3N120 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXTP3N120-NDR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
IRFB4321GPBF
MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
IRF1010ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
