IXTP3N100D2

Numărul de produs al producătorului:

IXTP3N100D2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTP3N100D2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

RFQ Online

12904405

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTP3N100D2 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

Depletion

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 1.5A, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

37.5 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1020 pF @ 25 V

Caracteristică FET

Depletion Mode

Disiparea puterii (max)

125W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220-3

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

IXTP3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

ZVN3320ASTZ

MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE

diodes

ZVN4310GTA

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

diodes

ZXM64N035GTA

MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223

diodes

ZXMN2069FTA

MOSFET N-CH SOT23-3