Numărul de produs al producătorului:
IXTP2N80
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP2N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12821033
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP2N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
IXTR102N65X2
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
IXFA22N60P3
MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
