Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTP12N65X2M
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP12N65X2M-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
RFQ Online
12821411
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP12N65X2M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Isolated Tab
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IXTP12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXTP12N65X2M-DG
Fișe tehnice
IXTP12N65X2M
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STFU18N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
925
DiGi NUMĂR DE PARTE
STFU18N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.09
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6011ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
494
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6011ENX-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STF13NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
672
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF13NM60ND-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPA60R380C6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
500
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA60R380C6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.84
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF11NM80
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
966
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF11NM80-DG
PREȚ UNIC
2.95
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT440N055T2
MOSFET N-CH 55V 440A TO268
IRFP470
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
IXFX520N075T2
MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
IXTQ18N60P
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P