Numărul de produs al producătorului:
IXTP05N100M
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP05N100M-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 700mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
500 Piese Noi Originale În Stoc
12821151
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP05N100M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
700mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP05
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN280N07
MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
IXTV110N25TS
MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD