IXTN21N100

Numărul de produs al producătorului:

IXTN21N100

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTN21N100-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventar:

RFQ Online

12818946

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTN21N100 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

MegaMOS™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 500µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

250 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

8400 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

520W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-227B

Pachet / Carcasă

SOT-227-4, miniBLOC

Numărul de bază al produsului

IXTN21

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

IXTN21N100-NDR

Pachet standard

10

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFH120N20P

MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD

littelfuse

IXTP180N10T

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

littelfuse

IXTP5N60P

MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB

littelfuse

IXTH90N15T

MOSFET N-CH 150V 90A TO247