IXTK32P60P

Numărul de produs al producătorului:

IXTK32P60P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTK32P60P-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 600V 32A TO264

Descriere detaliată:

P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)

Inventar:

RFQ Online

12820729

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTK32P60P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

PolarP™

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

196 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

11100 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

890W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-264 (IXTK)

Pachet / Carcasă

TO-264-3, TO-264AA

Numărul de bază al produsului

IXTK32

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

-IXTK32P60P

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFH80N25X3

MOSFET N-CH 250V 80A TO247

littelfuse

IXFK78N50P3

MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA

littelfuse

IXTQ64N25P

MOSFET N-CH 250V 64A TO3P

littelfuse

IXTA36N30T

MOSFET N-CH 300V 36A TO263