Numărul de produs al producătorului:
IXTK120N25P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTK120N25P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventar:
302 Piese Noi Originale În Stoc
12820745
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTK120N25P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264 (IXTK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXTK120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
IXTP110N12T2
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
IXFB70N100X
MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264