Numărul de produs al producătorului:
IXTI10N60P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTI10N60P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12821860
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTI10N60P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
PolarHV™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
740mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IXTI10
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB10N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB10N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.75
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD7ANM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3584
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD7ANM60N-DG
PREȚ UNIC
0.58
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
