IXTH60N10

Numărul de produs al producătorului:

IXTH60N10

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTH60N10-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 60A TO247

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 60A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

RFQ Online

12821655

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTH60N10 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3200 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

300W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247 (IXTH)

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTH60

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTT140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

littelfuse

IXTC13N50

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220

littelfuse

IXTY2N100P

MOSFET N-CH 1000V 2A TO252

littelfuse

IXFB100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264