IXTH3N120

Numărul de produs al producătorului:

IXTH3N120

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTH3N120-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 3A TO247

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

RFQ Online

12821399

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTH3N120 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1300 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

200W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247 (IXTH)

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTH3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFN40N110P

MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

littelfuse

IXTQ96N15P

MOSFET N-CH 150V 96A TO3P

littelfuse

IXTH62N25T

MOSFET N-CH 250V 62A TO247

littelfuse

IXFT23N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A TO268