IXTH30N50L

Numărul de produs al producătorului:

IXTH30N50L

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTH30N50L-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 30A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

RFQ Online

12915333

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTH30N50L Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

Linear

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

240 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

10200 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

400W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247 (IXTH)

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTH30

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

SI3853DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFIBC20G

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

vishay-siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO

vishay-siliconix

SI7459DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8