IXTH30N25

Numărul de produs al producătorului:

IXTH30N25

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTH30N25-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

Descriere detaliată:

N-Channel 250 V 30A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

RFQ Online

12821717

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTH30N25 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

250 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

136 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3950 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

200W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247 (IXTH)

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTH30

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

IXTV02N250S

MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220

littelfuse

IXFH20N80P

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

littelfuse

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

littelfuse

IXFN200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B