Numărul de produs al producătorului:
IXTH130N20T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTH130N20T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
17 Piese Noi Originale În Stoc
12818926
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
nPux
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTH130N20T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
830W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXTH130
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
MKE38RK600DFEL-TRR
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
IXFK100N10
MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA
