Numărul de produs al producătorului:
IXTH11P50
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTH11P50-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Descriere detaliată:
P-Channel 500 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12912078
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
IQ0v
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTH11P50 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXTH11
Informații suplimentare
Alte nume
IXTH11P50-NDR
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO247
IXFA80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
IRFS11N50A
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
