Numărul de produs al producătorului:
IXTF200N10T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTF200N10T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 156W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventar:
12820955
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTF200N10T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS i4-PAC™
Pachet / Carcasă
i4-Pac™-5
Numărul de bază al produsului
IXTF200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH220N075T
MOSFET N-CH 75V 220A TO247
IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXTT75N20L2
MOSFET N-CH 200V 75A DPAK
