Numărul de produs al producătorului:

IXTF1N250

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTF1N250-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4

Descriere detaliată:

N-Channel 2500 V 1A (Tc) 110W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Inventar:

RFQ Online

12819673

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTF1N250 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

2500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

1A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

40Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1660 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

110W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

ISOPLUS i4-PAC™

Pachet / Carcasă

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Numărul de bază al produsului

IXTF1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

Q7319967A

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTH50N30

MOSFET N-CH 300V 50A TO247

littelfuse

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB

littelfuse

IXTP2N100

MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB

littelfuse

IXFK73N30Q

MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA