Numărul de produs al producătorului:
IXTB30N100L
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTB30N100L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventar:
12819336
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTB30N100L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
545 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
800W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS264™
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXTB30
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH10N100
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
IXFK88N20Q
MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263