Numărul de produs al producătorului:
IXTA3N100D2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA3N100D2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
12909336
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA3N100D2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
623496
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF740ASTRL
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
IRFD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRF840A
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
