Numărul de produs al producătorului:
IXTA3N100D2-TRL
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA3N100D2-TRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
13271097
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA3N100D2-TRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA3
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTA3N100D2-TRLTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA42N15T-TRL
MOSFET N-CH 150V 42A TO263
IXTA2N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
IXTQ86N25T
MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
