IXTA26P10T

Numărul de produs al producătorului:

IXTA26P10T

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTA26P10T-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 26A TO263

Descriere detaliată:

P-Channel 100 V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventar:

RFQ Online

12821849

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTA26P10T Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

TrenchP™

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

26A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

52 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±15V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3820 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

150W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263AA

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IXTA26

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTQ140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO3P

littelfuse

IXTA62N25T

MOSFET N-CH 250V 62A TO263

littelfuse

IXFN50N80Q2

MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

IXFL82N60P

MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264