Numărul de produs al producătorului:
IXTA1N100P-TRL
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA1N100P-TRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
13271144
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
BqRI
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA1N100P-TRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
331 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA1
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTA1N100P-TRLTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY18P10T-TRL
MOSFET P-CH 100V 18A TO252
IXFT16N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
IXTY26P10T-TRL
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
