IXTA1N100P-TRL
Numărul de produs al producătorului:

IXTA1N100P-TRL

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTA1N100P-TRL-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

13271144
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTA1N100P-TRL Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
331 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA1

Informații suplimentare

Alte nume
238-IXTA1N100P-TRLTR
Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXTY18P10T-TRL

MOSFET P-CH 100V 18A TO252

littelfuse

IXFT16N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

littelfuse

IXTY26P10T-TRL

MOSFET P-CH 100V 26A TO252

littelfuse

IXTA380N036T4-7-TR

MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7