IXTA08N100P
Numărul de produs al producătorului:

IXTA08N100P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTA08N100P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventar:

RFQ Online
12819649
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTA08N100P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA08

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IXT(A,P,Y)08N100P Building, Home Automation Appl Guide

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXFX230N20T

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3

littelfuse

IXTT1N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 1A TO268

littelfuse

IXFH50N50P3

MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

littelfuse

IXTQ40N50Q

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P