Numărul de produs al producătorului:
IXKG25N80C
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXKG25N80C-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISO264™
Inventar:
12907532
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXKG25N80C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISO264™
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXKG25
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
RSH090N03TB1
MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
IRFR9310
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
