Numărul de produs al producătorului:
IXFZ140N25T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFZ140N25T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 100A (Tc) 445W (Tc) Surface Mount DE475
Inventar:
12912626
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFZ140N25T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Trench
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
445W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DE475
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
IXFZ140
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
20
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4462DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
SI2307BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
IRL2203STRL
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
