Numărul de produs al producătorului:
IXFY26N30X3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFY26N30X3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 26A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
6920 Piese Noi Originale În Stoc
12821892
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFY26N30X3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1465 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXFY26
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH30N60Q
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
IXFN44N80Q3
MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
IXTA2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO263
