Numărul de produs al producătorului:
IXFX90N60X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFX90N60X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12914600
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFX90N60X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXFX90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFX100N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX100N65X2-DG
PREȚ UNIC
11.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK62N60X,S1F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
102
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK62N60X,S1F-DG
PREȚ UNIC
5.71
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SCT3030ALGC11
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
10017
DiGi NUMĂR DE PARTE
SCT3030ALGC11-DG
PREȚ UNIC
21.41
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
SI4776DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO