IXFX90N20Q
Numărul de produs al producătorului:

IXFX90N20Q

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFX90N20Q-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventar:

12915210
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFX90N20Q Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXFX90

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
IXFX90N20Q-NDR
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRFP90N20DPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
574
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP90N20DPBF-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI4831BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9120TRL

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

IRFD9210

MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP

vishay-siliconix

SI7447ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8