Numărul de produs al producătorului:
IXFX64N50Q3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFX64N50Q3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 64A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
10 Piese Noi Originale În Stoc
12820113
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFX64N50Q3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6950 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1000W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXFX64
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFX64N50Q3
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
IXFH32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
IXFA4N60P3
MOSFET N-CH 600V 4A TO263