IXFX26N120P

Numărul de produs al producătorului:

IXFX26N120P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFX26N120P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventar:

RFQ Online

12821524

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFX26N120P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Polar

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

26A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

225 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

16000 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

960W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

PLUS247™-3

Pachet / Carcasă

TO-247-3 Variant

Numărul de bază al produsului

IXFX26

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFK55N50

MOSFET N-CH 500V 55A TO264AA

littelfuse

IXFH150N17T

MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD

littelfuse

IXFN48N55

MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B

littelfuse

IXTK550N055T2

MOSFET N-CH 55V 550A TO264