Numărul de produs al producătorului:
IXFX180N25T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFX180N25T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
574 Piese Noi Originale În Stoc
12821771
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFX180N25T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
345 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1390W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXFX180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFL34N100
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
IXFA4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
IXTA24N65X2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
