Numărul de produs al producătorului:
IXFV12N120P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFV12N120P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventar:
12821009
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFV12N120P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
543W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS220
Pachet / Carcasă
TO-220-3, Short Tab
Numărul de bază al produsului
IXFV12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
APT13F120B
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT13F120B-DG
PREȚ UNIC
7.92
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO252
IXFD15N100-8X
MOSFET N-CH
IXTP90N075T2
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
