Numărul de produs al producătorului:
IXFT80N20Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT80N20Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12821662
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT80N20Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTT82N25P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTT82N25P-DG
PREȚ UNIC
5.71
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY1R4N60P TRL
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
IXFL100N50P
MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
IXFR44N50Q3
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
