IXFT58N20

Numărul de produs al producătorului:

IXFT58N20

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFT58N20-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

Descriere detaliată:

N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventar:

RFQ Online

12820833

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFT58N20 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

HiPerFET™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

220 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4400 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

300W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-268AA

Pachet / Carcasă

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Numărul de bază al produsului

IXFT58

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFH28N50Q

MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

littelfuse

IXTH41N25

MOSFET N-CH 250V 41A TO247

littelfuse

IXTR62N15P

MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247

littelfuse

IXFL38N100P

MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK