Numărul de produs al producătorului:
IXFT50N60X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT50N60X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventar:
12820177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT50N60X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
73mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
660W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFT60N65X2HV
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFT60N65X2HV-DG
PREȚ UNIC
7.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTK120P20T
MOSFET P-CH 200V 120A TO264
IXFR30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
IXTP76N25T
MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
