Numărul de produs al producătorului:
IXFT50N50P3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT50N50P3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
20 Piese Noi Originale În Stoc
12821802
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT50N50P3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 0 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4335 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFT50N50P3
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP05N100
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
IXFH13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
IXTY1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252