Numărul de produs al producătorului:
IXFT320N10T2-TRL
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT320N10T2-TRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 320A (Tc) 1kW (Tc) Surface Mount TO-268
Inventar:
13271076
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT320N10T2-TRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
320A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
430 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
26000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1kW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT320
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXFT320N10T2-TRLTR
Pachet standard
400
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA1R4N100PTRL
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
IXFA16N50P-TRL
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
IXFA18N65X2
MOSFET N-CH 650V 18A TO263